集成电路设计-(第3版)-含光盘1张

本书特色

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  本书是普通高等教育“十二五”国家级本科规划教材和普通高等教育“十一五”国家级规划教材,全书遵循集成电路设计的流程,介绍集成电路设计的一系列基础知识。主要内容包括集成电路的材料、制造工艺和器件模型、集成电路模拟软件spice的基本用法、集成电路版图设计、模拟集成电路基本单元、数字集成电路基本单元、集成电路数字系统设计和集成电路的测试与封装等。本书提供配套电子课件、cadence公司提供的pspice学生版安装软件、hspice和pspice两种仿真工具的电路实例设计包等。

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作者简介

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  王志功,1977-1978 南京工学院 教师;1982-1984 同济大学 教师;1990-1997
德国弗朗霍夫应用固体物理研究所研究员;1997- 东南大学 教授/博导。

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目录

目 录第1章 集成电路设计概述1.1 集成电路的发展1.2 集成电路设计流程及设计环境1.3 集成电路制造途径1.4 集成电路设计的知识范围思考题第2章 集成电路材料、结构与理论2.1 集成电路材料2.1.1 硅2.1.2 砷化镓2.1.3 磷化铟2.1.4 绝缘材料2.1.5 金属材料2.1.6 多晶硅2.1.7 材料系统2.2 半导体基础知识2.2.1 半导体的晶体结构2.2.2 本征半导体与杂质半导体2.3 pn结与结型二极管2.3.1 pn结的扩散与漂移2.3.2 pn结型二极管2.3.3 肖特基结二极管2.3.4 欧姆型接触2.4 双极型晶体管2.4.1 双极型晶体管的基本结构2.4.2 双极型晶体管的工作原理2.5 mos晶体管2.5.1 mos晶体管的基本结构2.5.2 mos晶体管的工作原理2.5.3 mos晶体管的伏安特性思考题本章参考文献第3章 集成电路基本工艺3.1 外延生长3.2 掩模版的制造3.3 光刻原理与流程3.3.1 光刻步骤3.3.2 曝光方式3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺思考题本章参考文献第4章 集成电路器件工艺4.1 双极型集成电路的基本制造工艺4.1.1 双极型硅工艺4.1.2 hbt工艺4.2 mesfet和hemt工艺4.2.1 mesfet工艺4.2.2 hemt工艺4.3 mos和相关的vlsi工艺4.4 bicmos工艺思考题本章参考文献第5章 mos场效应管的特性5.1 mos场效应管5.1.1 mos管伏安特性的推导5.1.2 mos电容的组成5.1.3 mos电容的计算5.2 mos fet的阈值电压vt5.3 体效应5.4 mosfet的温度特性5.5 mosfet的噪声5.6 mosfet尺寸按比例缩小5.7 mos器件的二阶效应5.7.1 l和w的变化5.7.2 迁移率的退化5.7.3 沟道长度的调制5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化思考题本章参考文献第6章 集成电路器件及spice模型6.1 无源器件结构及模型6.1.1 互连线6.1.2 电阻6.1.3 电容6.1.4 电感6.1.5 分布参数元件6.2 二极管电流方程及spice模型6.2.1 二极管的电路模型6.2.2 二极管的噪声模型6.3 双极型晶体管电流方程及spice模型6.3.1 双极型晶体管的em模型6.3.2 双极型晶体管的gp模型6.4 结型场效应jfet ( njf/pjf ) 模型6.5 mesfet(nmf/pmf)模型(spice3.x)6.6 mos管电流方程及spice模型思考题本章参考文献第7章 spice数模混合仿真程序的设计流程及方法7.1 采用spice的电路设计流程7.2 电路元件的spice输入语句格式7.3 电路特性分析语句7.4 电路特性控制语句7.5 hspice缓冲驱动器设计实例7.6 hspice跨导放大器设计实例7.7 pspice电路图编辑器简介7.8 pspice缓冲驱动器设计实例7.9 pspice跨导放大器设计实例思考题本章参考文献第8章 集成电路版图设计与工具8.1 工艺流程的定义8.2 版图几何设计规则8.3 图元8.3.1 mos晶体管8.3.2 集成电阻8.3.3 集成电容8.3.4 寄生二极管与三极管8.4 版图设计准则8.4.1 匹配设计8.4.2 抗干扰设计8.4.3 寄生优化设计8.4.4 可靠性设计8.5 电学设计规则与布线8.6 基于cadence平台的全定制ic设计8.6.1 版图设计的环境8.6.2 原理图编辑与仿真8.6.3 版图编辑与验证8.6.4 cmos差动放大器版图设计实例8.7 芯片的版图布局8.8 版图设计的注意事项思考题本章参考文献第9章 模拟集成电路基本单元9.1 电流源电路9.1.1 双极型镜像电流源9.1.2 mos电流镜9.2 基准电压源设计9.2.1 双极型三管能隙基准源9.2.2 mos基准电压源9.3 单端反相放大器9.3.1 基本放大电路9.3.2 改进的cmos推挽放大器9.4 差分放大器9.4.1 bjt差分放大器9.4.2 mos差分放大器9.4.3 cmos差分放大器设计实例9.5 运算放大器9.5.1 性能参数9.5.2 套筒式共源共栅运放9.5.3 折叠式共源共栅运放9.5.4 两级运放9.5.5 cmos运算放大器设计实例9.6 振荡器9.6.1 环形振荡器9.6.2 lc振荡器思考题本章参考文献第10章 数字集成电路基本单元与版图10.1 ttl基本电路10.1.1 ttl反相器10.1.2 ttl与非门10.1.3 ttl或非门10.2 cmos基本门电路及版图实现10.2.1 cmos反相器10.2.2 cmos与非门和或非门10.2.3 cmos传输门和开关逻辑10.2.4 三态门10.2.5 驱动电路10.3 数字电路标准单元库设计10.3.1 基本原理10.3.2 库单元设计10.4 焊盘输入/输出单元10.4.1 输入单元10.4.2 输出单元10.4.3 输入/输出双向三态单元(i/o pad)10.5 了解cmos存储器10.5.1 动态随机存储器(dram)10.5.2 静态随机存储器(sram)10.5.3 闪存思考题本章参考文献第11章 集成电路数字系统设计基础11.1 数字系统硬件描述语言11.1.1 基于hdl语言的设计流程11.1.2 verilog hdl语言介绍11.1.3 硬件描述语言vhdl11.2 数字系统逻辑综合与物理实现11.2.1 逻辑综合的流程11.2.2 verilog hdl与逻辑综合11.2.3 自动布局布线11.3 数字系统的fpga/cpld硬件验证11.3.1 pld概述11.3.2 现场可编程门阵列(fpga)11.3.3 基于fpga的数字系统硬件验证思考题本章参考文献第12章 集成电路的测试和封装12.1 集成电路在芯片测试技术12.2 集成电路封装形式与工艺流程12.3 芯片键合12.4 高速芯片封装12.5 混合集成与微组装技术12.6 数字集成电路测试方法12.6.1 可测试性的重要性12.6.2 测试基础12.6.3 可测试性设计思考题本章参考文献

封面

集成电路设计-(第3版)-含光盘1张

书名:集成电路设计-(第3版)-含光盘1张

作者:王志功

页数:300

定价:¥45.0

出版社:电子工业出版社

出版日期:2013-07-01

ISBN:9787121199837

PDF电子书大小:135MB 高清扫描完整版

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