信息功能材料手册-[中]

节选

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《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。《信息功能材料手册(中)》不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、*新进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、先进性和权威性。《信息功能材料手册(中)》的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。 《信息功能材料手册(中)》主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。

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相关资料

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《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。本书不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、最新进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、先进性和权威性。本书的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。本书主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。信息功能材料是信息科学技术和信息产业发展的基础和先导。21世纪将是以信息产业为核心的知识经济时代，对信息技术和信息资源的竞争将更加激烈。我国电子信息行业2004年完成产品销售收入达26500亿元，多年来已居外贸出口首位，并继续以高出工业发展速度10％的速度发展，已成为世界信息产业大国。加快由信息产业大国向信息产业强国迈进的步伐，是我们广大从事信息技术，特别是信息功能材料工作者义不容辞的责任。希望本书的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。本手册分上、中、下三册出版，共设20篇，约600万字。它涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，是目前我国该领域比较完整的专业工具书。参加这部书编写的有中科院、高校和部分企业的专家教授近200名。参加编写的主要单位有中科院半导体研究所、中科院物理研究所、中科院微电子研究所、中科院上海精密光学机械研究所、中科院上海红外技术物理研究所、中科院长春应用化学研究所、中科院合肥固体物理所、南京大学、清华大学、西安理工大学、北京有色金属研究总院、武汉邮电科学研究院等。历时近3年完稿。由王占国、陈立泉、屠海令任主编并统稿。各篇主编如下。第1篇概论王占国院士第2篇半导体硅材料杨德仁教授第3篇集成电路制造技术吴德馨院士刘明研究员第4篇硅基异质结构材料和器件余金中研究员第5篇化合物半导体材料屠海令教授赵有文研究员第6篇宽带隙半导体及其应用郑有炓院士第7篇半导体低维结构和量子器件陈涌海研究员叶小玲教授王占国院士第8篇存储材料顾冬红研究员吴谊群研究员第9篇显示材料邱勇教授应根裕教授第10篇通信光纤材料及其工艺赵梓森院士第11篇全固态激光器及相关材料许祖彦院士沈德忠院士第12篇稀土磁性材料与自旋电子材料刘治国教授第13篇超导材料陈立泉院士蕲常青教授第14篇传

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本书特色

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《信息功能材料手册(中)》由近200位专家教授历时3年编写而成，王占国院士为**主编。涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，是目前我国该领域比较完整的专业工具书；全面系统地反映国内外信息功能材料研究领域的现状、*新进展和发展趋势，特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果。

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作者简介

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王占国，中国科学院院士中国科学院半导体所研究员
陈立泉,中国工程院院士中国科学院物理所研究员
屠海令,中国工程院院士北京有色金属研究总院教授半导体材料国家工程研究中心管委会主任

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目录

第7篇 半导体低维结构和量子器件第1章 概述1 半导体低维结构的定义2 半导体低维结构材料的基本特性2.1 量子尺寸(约束)效应2.2 量子隧穿效应2.3 库仑阻塞效应2.4 量子干涉效应2.5 二维电子气和量子霍尔(flall)效应3 半导体低维结构的制备技术3.1 分子束外延(MBE)技术3.2 金属有机物化学气相淀积(MiXVD)技术3.3 半导体微结构材料生长和精细加工相结合的制备技术3.4 应变自组装纳米半导体结构生长技术4 半导体低维结构材料的评价技术4.1 近场光学显微镜4.2 显微拉曼光谱技术5 半导体量子器件5.1 低维结构半导体电子器件5.2 低维结构半导体光电子器件6 半导体低维结构材料和量子器件的发展趋势第2章 半导体低维结构物理1 GaAs／A1GaAs调制掺杂异质结构中的二维电子气1.1 二维电子(2DEG)的形成1.2 2DEG的能级结构1.3 2DEG的面密度1.4 2DEG的散射机制1.5 强磁场中的2DEG1.6 量子霍尔效应2 量子阱和超晶格2.1 计算电子能级结构的包络函数模型2.2 量子阱的能级结构2.3 超晶格的能级结构2.4 量子阱、超晶格的光学性质2.5 双势垒结构中的共振遂穿现象3 量子线和量子点3.1 量子线的电子能级结构3.2 量子点的电子能级结构3.3 量子线、量子点的光学性质第3章 半导体低维结构材料的制备技术1 金属有机气相外延1.1 生长系统1.2 原材料1.3 生长机构1.4 化合物半导体材料的外延生长2 分子束外延(molecularbeamepitaxy)2.1 设备2.2 基本原理2.3 生长技术2.4 MBE的衍生技术2.5 分子束外延材料及其应用3 半导体低维结构材料的制备方法3.1 晶格匹配GaAs／AIGaAs量子阱材料的MBE生长技术3.2 量子阱结构的应变异质外延生长3.3 层状异质结构生长与精细加工相结合制备量子线、量子点结构-3.4 量子线、量子点的化学合成方法3.5 量子线的VLS生长技术3.6 量子线的MBE直接生长方法3.7 应变自组装生长量子点、量子线结构3.8 量子点的可控生长技术第4章 半导体低维结构材料的评价技术1 透射电子显微分析技术1.1 工作原理1.2 TEM结构1.3 工作模式1.4 TEM制样1.5 应用实例2 扫描电子显微镜技术2.1 工作原理2.2 工作模式2.3 SEM样品制备2.4 应用实例3 扫描隧道电流显微镜技术3.1 工作原理3.2 隧道电流谱3.3 半导体样品的制备和处理3.4 应用实例4 原子力显微镜(AFM)测试技术4.1 工作原理4.2 AFM工作模式4.3 针尖效应4.4 AFM的应用5 x射线散射(XRD)技术5.1 工作原理5.2x散射技术的种类5.3 倒格子空间的扫描模式5.4 应用6 光荧光谱和荧光激发光谱技术6.1 工作原理6.2 实验装置6.3 空间分辨PL谱技术6.4 应用实例7 反射高能电子衍射7.1 工作原理7.2 RHEED的应用8 反射差分谱81工作原理8.2 应用实例第5章 半导体高频、高速微电子器件及其应用1 场效应器件1.1 GaAsMESFET1.2 GaAsHEMT1.3 InPHEMT器件1.4 MHEMT(MetamorphicHighElectronMobilly Transistor，变晶格高电子迁移率晶体管)1.5 InAsHEMT1.6 GaNHEMT2 异质结双极晶体管(HBT)2.1 GaAsHil2.2 IrlPHBT2.3 HEMT(MetamorphicHeterojuctionBipolar Transistor，变晶格异质结双极晶体管)2.4 InAsHBT2.5 SiGeHBT2.6 CaN-BasedHBT第6章 半导体量子阱激光器1 量子阱中电子的能量状态和状态密度分布2 量子阱的光学增益3 量子阱激光器的特性3.1 闯值电流特性3.2 光谱线宽特性3.3 温度特性3.4 偏振选择特性3.5 动态特性4 应变量子阱激光器4.1 晶格失配与应变4.2 应变量子阱能带结构4.3 应变量子阱增益4.4 应变量子阱激光器5 量子阱激光器的制备技术5.1 MOCVD5.2 MBE6 半导体量子阱激光器的应用6.1 光纤通信6.2 光存储6.3 激光二极管泵浦固体激光器(DPSS)6.4 气体探测6.5 低维量子限制激光器第7章 新型半导体量子器件1 量子阱红外探测器1.1 工作原理1.2 GaAs／AIGaAs量子阱红外探测器性能1.3 热电子晶体管探测器1.4 多色量子阱红外探测器1.5 量子点红外探测器1.6 焦平面阵列(FPA)1.7 FPA应用2 量子级联激光器2.1 量子级联激光器的工作原理2.2 量子级联激光器的结构与特性2.3 量子级联激光器的应用2.4 量子级联激光器研究的新进展3 垂直腔面发射激光器3.1 VCSEI.结构3.2 VCSEL基本特性3.3 各类VCSEL4 量子点激光器4.1 量子点激光器的特性4.2 量子点激光器的结构4.3 量子点激光材料的外延生长4.4 GaAs基长波长量子点激光器参考文献第8篇 存储材料第1章 概述1 光盘存储技术的发展2 高密度光盘存储材料2.1 可录型光盘存储材料2.2 相变型光盘存储材料3 超高密度光存储材料3.1 光学全息存储材料3.2 近场光存储材料3.3 电子俘获光存储材料3.4 光子选通光存储材料3.5 双光子吸收光存储材料3.6 多波长多阶光存储材料4 磁性和磁光存储材料4.1 磁性存储材料4.2 磁记录磁头材料4.3 磁光盘存储材料4.4 光磁混合存储材料5 非易失性存储材料第2章 可录光盘存储材料1 CD-R光盘存储材料1.1 CD-R光盘存储材料概述1.2 CD-R光盘存储材料的光谱性质1.3 CD-R光盘存储材料的光学常数1.4 CD-R光盘存储材料的热学性质1.5 CD-R光盘的记录性能测试主要参数2 DVD-R光盘存储材料2.1 DVD-R光盘存储材料概述2.2 DVD-R光盘存储材料的光谱性质2.3 DVD-R光盘存储材料的光学常数2.4 DVD-R光盘存储材料的热学性质2.5 DVD-R光盘的记录性能测试主要参数2.6 可录光盘存储数据寿命预测3 蓝光可录光盘存储材料3.1 无机蓝光可录光存储材料3.2 有机蓝光可录光存储材料第3章 相变光存储材料1 相变光存储原理2 相变光存储材料的重要性质2.1 对激光的响应2.2 反射率对比度2.3 擦除速度和稳定性2.4 写，擦循环性能3 重要的相变光存储材料体系3.1 Ge-Sb-Te三元化合物3.2 四元合金3.3 其他相变光存储材料4 相变光存储材料的掺杂改性4.1 掺杂金属元素4.2 掺杂气体元素5 超高密度相变光存储5.1 近场光存储5.2 超分辨技术5.3 超分辨近场结构第4章 光学全息存储材料1 光学全息存储的基本原理1.1 基本原理1.2 全息存储的特点1.3 全息存储的分类1.4 全息存储记录材料的性能表征1.5 全息存储对记录材料的要求2 卤化银乳胶全息记录材料2.1 卤化银乳胶全息记录材料的构成和光化学反应原理2.2 卤化银全息记录材料的显影2.3 定影过程2.4 漂白过程3 重铬酸盐明胶(DcG)3.1 重铬酸盐明胶的光化学反应原理3.2 处理方法3.3 性能特点及其应用4 光致聚合物4.1 光致聚合物全息存储的机理4.2 光致聚合物的构成4.3 光聚物的高密度全息记录特性4.4 光致聚合物的高密度全息存储特性5 光折变晶体5.1 光折变晶体产生光折变效应的原理5.2 光折变全息图的挥发和固定5.3 光折变晶体的分类5.4 铌酸锂晶体的生长与性能6 光折变聚合物6.1 非线性聚合物为基体的系统6.2 以惰性聚合物为基体的系统6.3 以电荷传输体聚合物为基体的系统6.4 玻璃态和全功能型光折变聚合物材料6.5 液晶光折变聚合物材料7 光致变色材料7.1 光致变色材料的光致变色机理7.2 光致变色材料的全息性能8 光导热塑材料8.1 光导热塑材料的全息记录机理8.2 光导热塑材料的成分8.3 材料的全息性能9 其他存储材料9.1 光致抗蚀剂9.2 金属薄膜9.3 磁光薄膜9.4 硫族化合物玻璃第5章 近场光存储材料1 近场光存储的实现途径2 近场光存储材料2.1 一次写入型近场光存储材料2.2 磁光可擦写型近场光存储材料2.3 相变可擦写型近场光存储材料2.4 光致变色可擦写型近场光存储材料3 超分辨近场结构中的掩膜材料第6章 电子俘获光存储材料1 电子俘获光存储原理2 电子俘获材料的制备3 电子俘获光存储材料的特性3.1 光谱特性3.2 写入和读出相对效率与温度的关系3.3 写入和擦除特性4 电子俘获光存储系统4.1 电子俘获光盘驱动器4.2 多进制存储4.3 破坏性读出4.4 存储信息的稳定性4.5 数据传输速率4.6 应用第7章 光子选通光存储材料1 无机材料1.1 sm2+掺杂PGSHB无机材料体系1.2 EU2+掺杂玻璃体系2 有机材料2.1 卟啉类化合物2.2 有机聚合物第8章 双光子吸收光存储材料1 双光子激发光致变色材料2 双光子激发光致聚合材料3 双光子激发光致氧化材料4 双光子激发光致荧光漂白材料5 双光子激发光折变材料第9章 多波长多阶光存储材料1 二芳基乙烯光致变色材料2 螺吡喃光致变色材料3 胆甾醇型液晶材料4 其他材料第10章 磁性存储材料1 磁记录过程简介1.1 模拟式磁记录1.2 数字式磁记录2 磁记录材料综述3 水平磁记录磁粉材料3.1 磁粉3.2 包钴的磁粉3.3 CrO2磁粉3.4 金属磁粉4 水平磁记录连续薄膜及介质4.1 高密度化对记录介质的要求4.2 高密度水平磁记录连续薄膜介质的制备4.3 超高密度水平磁存储薄膜介质5 垂直磁记录及存储材料5.1 高密度(短波长)记录中出现的问题5.2 垂直磁记录介质5.3 垂直磁记录用的钡铁氧体涂布介绍5.4 垂直磁记录用的cocr合金膜5.5 磁头与介质的磁相互作用5.6 垂直磁记录介质的研究进展第11章 磁头材料1 环形磁头的工作原理2 环形磁头的性能指标3 对磁芯材料的要求4 薄片合金磁芯磁头5 铁氧体材料的制备和性能6 铁氧体磁头的应用7 薄膜磁头8 电镀薄膜磁头材料9 溅射薄膜10 磁电阻读出头材料11 巨磁电阻效应及其应用12 磁性隧道结第12章 磁光光盘存储材料1 磁光光盘存储技术2 磁光光盘存储材料2.1 稀土一过渡族金属非晶态材料2.2 金属合金铁磁性磁光多晶薄膜2.3 氧化物系列磁光存储薄膜2.4 光磁混合记录技术第13章 光磁混合存储及其材料1 热辅助磁记录技术(HAMR)2 热辅助磁记录技术的特性3 热辅助磁存储介质材料4 热辅助磁存储磁头设计5 总结和展望第14章 非易失性存储材料1 相变随机存储材料1.1 OuM的研究历程和现状1.2 OUM的读写擦原理1.3 相变随机存储材料1.4 OuM的发展趋势2 磁阻随机存储材料2.1 MRAM的读写原理2.2 MRAM的发展概况和现状2.3 巨磁阻存储材料2.4 MRAM的发展趋势3 铁电随机存储材料3.1 FeRAM的发展概况和现状3.2 FeRAM的存储原理3.3 铁电存储材料3.4 FeRAM集成工艺3.5 FeRAM的可靠性分析参考文献第9篇 显示材料第1章 荧光粉显示技术1 荧光粉的发光机理1.1 电子束激励荧光粉发光的物理过程1.2 荧光粉的发光中心2 阴极射线激励发光的主要荧光粉的发光机理及其光学性质2.1 Ⅱb-Ⅳb族化合物2.2 发光中心是稀土离子的荧光粉3 荧光粉的合成与处理工艺3.1 合成的通用工艺3.2 表面处理3.3 彩色CRT荧光粉的后处理工艺3.4 彩色CRT用荧光粉的制备工艺3.5 荧光粉的涂覆工艺4 阴极射线管用荧光粉4.1 阴极射线管的结构和原理4.2 彩色CRT4.3 示波用CRT4.4 其他类型CRT4.5 CRT对荧光粉的一般要求4.6 实用CRT荧光粉4.7 CRT荧光粉型号的命名体系5 真空荧光显示用荧光粉5.1 真空荧光显示器件5.2 VFD器件的结构和工作原理5.3 VFD对荧光粉的要求5.4 VFD器件用荧光粉6 场致发射显示(FED)用荧光粉6.1 FED的结构与工作原理6.2 场致发射体的制造工艺6.3 FED用荧光粉7 x射线激发的荧光粉7.1 x射线增强屏7.2 x射线像增强器用的荧光粉7.3 x射线荧光屏用荧光粉8 等离子体显示用荧光粉8.1 等离子体显示板(PDP)8.2 放电气体8.3 发光机理8.4 真空紫外荧光粉和它们的特性8.5 彩色PDI，显示的特性第2章 液晶材料和液晶显示技术1 液晶材料和其他辅助材料1.1 液晶的概念及分类1.2 液晶的相结构1.3 液晶的热力学性质1.4 液晶的化学结构与物理性质1.5 显示对液晶材料的性能要求1.6 显示用液晶材料1.7 液晶显示用其他原材料2 液晶显示的基本原理2.1 扭曲向列液晶显示2.2 超扭曲向列液晶显示2.3 有源矩阵液晶显示2.4 宾一主型液晶显示2.5 胆甾、向列相变型液晶显示2.6 铁电液晶显示2.7 聚合物分散型液晶显示第3章 有机电致发光显示1 有机电致发光显示技术1.1 特点和应用1.2 结构和原理1.3 制备工艺1.4 彩色化技术2 有机电致发光显示材料分类3小分子有机电致发光材料3.1 空穴传输材料3.2 电子传输材料3.3 发光材料3.4 其他小分子材料4 聚合物有机电致发光材料4.1 聚合物电致发光材料的分类4.2 PIN及其衍生物4.3 聚苯及其衍生物4.4 聚烷基芴(PAF)4.5 聚噻吩及其衍生物4.6 聚乙烯咔唑及其他4.7 聚苯胺阳极和柔性基片5 有机电致发光材料性能参数5.1 材料纯度5.2 发光性能和荧光量子效率5.3 热稳定性能5.4 能级结构5.5 成膜性能6 有机电致发光器件性能参数第4章 无机电致发光和电子纸显示技术1无机电致发光显示技术

封面

书名:信息功能材料手册-[中]

作者:王占国

页数:738 页

定价:¥150.0

出版社:化学工业出版社

出版日期:2009-07-01

ISBN:9787122053336

PDF电子书大小:67MB 高清扫描完整版