硅片加工技术

节选

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《硅片加工技术》主要从实际工艺的角度对硅片生产全过程进行了比较系统详细的介绍，包括硅单晶的基本特性和晶体结构，硅片生产设备的种类、性能及其使用方法，硅单晶从滚磨与开方、切割、研磨、抛光、清洗一直到检验包装的整个生产过程与管理，其中针对太阳能硅片的生产有适当的介绍，通过这些介绍，旨在使读者能够对硅片生产有一个全貌的认识，能具备硅片生产工艺与检验的基本知识，对各种设备仪器和工艺过程有所了解，有条件时可以通过实习掌握部分设备仪器的使用技能。 《硅片加工技术》可作为高职高专太阳能光伏产业硅材料技术专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事硅片生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。

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相关资料

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插图：硅片在转动的上、下研磨盘问作行星运动，借助上磨盘的压力与磨料作相对滑动摩擦，从而实现对硅片表面的磨削，即为双面磨片机的基本原理。③研磨液系统研磨液系统包括研磨液桶，泵和研磨液传输装置。研磨液由磨料、水和助磨剂按一定比例配制而成。和多线切割的砂浆一样，研磨液也需要进行充分的搅拌，只是远远不需要那么长的时间罢了。通常研磨液是现用现配，也可集中配制以便于管理。和多线切割液一样，研磨液一旦配制也就需要不停地搅拌以避免沉淀并使其均匀。每台磨片机可以配一个小型的带搅拌的研磨液桶和砂泵，研磨液经过滤后由砂泵抽向磨片机，通过磨片机的传输管道输送到上、下磨盘之间，也就是研磨区间内，研磨液中的磨料与硅片产生滑动摩擦而达到磨削效果。硅片研磨用的磨料通常是金刚砂，按其粒度大小有不同的型号，使用得最多的是W10、W14和W20的金刚砂磨料，这是老标准的分级划分。现行国标GB／T2481.2-1998中对磨料的粒度组成、分级及其检测方法都进行了新的规范。这个标准将以往w系列的分级方法改为了与国际接轨的F系列分级，硅片研磨常用磨料对应为F500、F600和：F800。磨料粒度大，磨削速度就快，但是表面就相对粗糙，研磨损伤层也大；磨料粒度小，磨削速度就慢，但是表面粗糙度有所改善，损伤层也浅，不过太低的磨削速率会使生产效率下降，不适于规模生产。④控制系统控制系统包括对机器主轴及行星传动系统运动的控制、上磨盘升降的控制和研磨速率的控制。主轴及行星传动系统的运动靠电机驱动，其转动方向和转动速度两个要素都是可以根据所研磨的硅片类型及工艺状况而进行改变和调节的。上磨盘的升降用气压控制，当装片、卸片及清洁处理磨盘等作业时，上磨盘升起，进行相应操作，研磨时上磨盘下降到位并与下磨盘作反向转动。研磨的速率控制反映在设备上主要是对研磨压力、磨液流量及磨片机转速的控制上。（2）硅片双面研磨机工作原理和特点在双面研磨机上，上、下研磨盘作相反方向转动，硅片在转动的上、下研磨盘问作既公转又自转的行星运动，借助上磨盘的压力与磨料作相对滑动摩擦，从而实现对硅片正反两个表面的均匀磨削。双面研磨机具如下特点。①硅片研磨用的双面研磨机采用2～4台电机驱动，可以对上研磨盘、下研磨盘、齿圈、太阳轮单独进行调速，使研磨达到最理想的转速比，其太阳轮相对于其他三个转速的速比可作无级调速，使游轮可实现正转、反转，满足了不同研磨及修盘工艺的需求。

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目录

绪论0.1 硅0.2 硅单晶0.3 硅片第1章 晶体滚磨与开方1.1 晶体与磨削加工1.2 硅片主、副参考面的制作1.3 滚磨开方设备1.4 滚磨开方工艺过程本章小结习题第2章 晶体切割2.1 硅单晶晶体结构2.2 硅单晶的定向切割2.3 硅单晶切割工序相关硅片参数2.4 硅单晶内圆切割工艺2.5 硅单晶多线切割工艺本章小结习题第3章 硅片研磨3.1 硅片边缘倒角3.2 硅片研磨工艺及其设备3.3 硅片热处理本章小结习题第4章 硅片抛光4.1 硅抛光片特性参数4.2 硅片的化学减薄4.3 硅片抛光方法和设备4.4 硅片抛光工艺过程本章小结习题第5章 硅片清洗5.1 硅片清洗基本概念5.2 硅片清洗处理方法5.3 硅片清洗工艺5.4 纯水制备系统简介5.5 化学试剂的安全使用本章小结习题第6章 硅片检验与包装6.1 硅片检验基本知识6.2 硅片电学参数检验6.3 硅片表面取向检验6.4 硅片几何参数检验6.5 硅片表面质量检验6.6 硅片氧化诱生缺陷检验6.7 硅片检验设备举例6.8 硅片包装与运输本章小结习题第7章 硅片生产管理与质量控制7.1 硅片生产过程管理7.2 硅片生产现场管理7.3 硅片生产工序控制7.4 硅片生产质量分析本章小结习题附录Ⅰ硅片生产加工名词术语附录Ⅱ硅片生产加工相关标准参考文献

封面

书名:硅片加工技术

作者:康自卫

页数:240页

定价:¥30.0

出版社:化学工业出版社

出版日期:2010-09-01

ISBN:9787122090584

PDF电子书大小:143MB 高清扫描完整版