电子信息前沿技术丛书集成电路版图基础.实用指南
本书特色
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集成电路版图是电路系统与集成电路工艺之间的中间环节，是一个必不可少的重要环节。本书从基础半导体理论的介绍开始，循序渐进地介绍基本集成电路单元的版图设计。本书的突出特点是：在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计，使读者知其然，并知其所以然。从本书的内容组织也可以看到，版图设计并不是一个孤立的设计环节，它与一些列的技术相关联。本书内容的重点是版图设计的基础知识，对于新入行的从业者，这是一个良好的开端；对于有经验的设计者，本书则可作为对设计经验的回味和思考。
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内容简介
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集成电路版图是电路系统与集成电路工艺之间的中间环节，是一个必不可少的重要环节。本书从基础半导体理论的介绍开始，循序渐进地介绍基本集成电路单元的版图设计。本书的突出特点是：在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计，使读者知其然，并知其所以然。从本书的内容组织也可以看到，版图设计并不是一个孤立的设计环节，它与一些列的技术相关联。本书内容的重点是版图设计的基础知识，对于新入行的从业者，这是一个良好的开端；对于有经验的设计者，本书则可作为对设计经验的回味和思考。
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作者简介
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李伟华，东南大学教授。在微电子技术领域从事科研与教学工作多年，先后开设与讲授本科、硕士研究生与博士研究生课程多门。出版教材《VLSI设计基础》与《微电子器件设计》，翻译英文教材《集成电路版图基础》、参加翻译专著《微系统设计》，编写本科课程讲义《集成电路CAD技术》、《专用集成电路及其结构设计》等4本，实验指导讲义1本。主持教学改革项目3项，参加教改项目多项，获得多项校教学奖励。
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目录
目录
第1章电路基础理论1
1.1内容提要11.2引言11.3基本电路回顾21.3.1同性相斥，异性相吸21.3.2基本单位31.3.3串联公式41.3.4并联公式41.3.5欧姆定律41.3.6基尔霍夫定律51.3.7电路单元符号71.4导体、绝缘体和半导体81.5半导体材料91.5.1N型材料111.5.2P型材料121.6PN结131.6.1势垒131.6.2通过势垒的电流141.6.3二极管161.6.4二极管应用171.7半导体开关181.7.1一个灯开关的例子小节同原书。181.8场效应191.8.1场效应晶体管*211.9开关隔离221.10增强型器件和耗尽型器件241.11互补型开关261.12N阱和衬底接触271.13逻辑电路271.13.1用电压表示逻辑状态281.13.2CMOS逻辑电路281.13.3与非门311.13.4或非门31结束语33本章学过的内容34应用练习34
第2章硅加工工艺39
2.1内容提要392.2引言392.3集成电路版图402.3.1基本矩形412.4硅晶圆制造422.5掺杂452.5.1离子注入462.5.2扩散462.6生长材料层472.6.1外延472.6.2化学气相沉积482.6.3氧化层生长502.6.4溅射502.6.5蒸发502.7去除材料层512.8光刻512.9芯片制造532.9.1下凹图形的加工532.9.2凸起图形的加工552.9.3平坦化562.9.4作为掩模的二氧化硅572.10自对准硅栅58结束语61本章学过的内容62
第3章CMOS版图93
3.1内容提要933.2引言933.3器件尺寸设计943.3.1SPICE943.3.2大尺寸器件的设计973.4源漏区共用1023.5器件连接技术1053.6紧凑型版图1083.7棒状图1093.8阱连接和衬底连接1153.8.1阱连接布局1173.9天线效应1193.10多晶硅引线1223.11图形关系123结束语125本章学过的内容125应用练习125
第4章电阻129
4.1内容提要1294.2引言1294.3电阻概述1304.4电阻的测量1314.4.1宽度和长度1314.4.2方块的概念1324.4.3每方欧姆1354.5多晶硅电阻公式1394.5.1基本电阻器版图1404.5.2接触电阻1424.5.3改变体材料1514.6实际电阻分析1554.6.1接触区误差1554.6.2体区误差1554.6.3头区误差1564.6.4扩展电阻1584.6.5总电阻方程1614.7实际的*小电阻尺寸1624.8特殊要求的电阻1634.8.1大电阻�驳途�度1634.8.2小电阻�哺呔�度1664.9设计的重要依据——电流密度1664.10版图误差分析1714.10.1电阻器误差的来源1714.10.2误差要求1714.11基本材料的复用1724.12扩散电阻和多晶硅电阻的比较1754.12.1双层多晶硅1764.12.2Bipolar/BiCMOS176结束语176本章学过的内容177应用练习177
第5章电容183
5.1内容提要1835.2引言1835.3电容概述1845.3.1电容器的特性1845.4电容值计算1875.4.1表面电容1885.4.2边缘电容1895.5N阱电容器1915.5.1寄生电容1935.6金属电容器1945.6.1叠层金属电容器1955.6.2氮化物介质电容器195结束语196本章学过的内容196
第6章双极型晶体管197
6.1内容提要1976.2引言1976.3工作原理1986.3.1基本结构1986.3.2NPN晶体管工作原理2006.4纵向工艺2036.4.1FET和NPN晶体管的开关特性比较2036.4.2层的结构2046.5NPN管的寄生效应2066.6PNP晶体管2076.6.1横向PNP管2076.7双极型晶体管版图与CMOS版图的区别2096.7.1设计规则的数量2096.7.2黑匣子式的布局211结束语211本章学过的内容212
第7章二极管213
7.1内容提要2137.2引言2137.3二极管的种类2137.3.1基本二极管2147.3.2由双极型晶体管构造的二极管2147.3.3变容二极管2177.4ESD保护2187.5特殊版图结构2227.5.1圆形版图2227.5.2梳状结构二极管版图223结束语223本章学过的内容224
第8章电感225
8.1内容提要2258.2引言2258.3基本电感2268.4传输线2288.4.1直线特性2288.4.2拐角特征化2298.5螺旋电感2318.6电感品质因子2328.7叠层电感2338.7.1射频扼流圈2348.8邻近效应236结束语237本章学过的内容238
术语239
封面
书名:电子信息前沿技术丛书集成电路版图基础.实用指南
作者:[美]克里斯托弗·赛因特(C
页数:0
定价:¥69.0
出版社:清华大学出版社
出版日期:2020-05-01
ISBN:9787302547198
PDF电子书大小:120MB 高清扫描完整版