金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制

本书特色

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本书主要以几种常见的过渡族金属氧化物为研究对象,介绍了它们一维纳米线的制备及其物性研究。
本书主要内容包括:通过化学气相传输法,首次生长出特殊的类螺杆状结构ZnO纳米线,给出了ZnO纳米线直径及纳米带宽度与电声子耦合强度的关系,研究了一维ZnO纳米结构的场发射特性;分别通过离子注入法和水蒸气辅助气相传输法,制备了Co掺杂和Al、Co共同掺杂的ZnO纳米线稀磁半导体,证实了ZnO纳米线掺杂后在室温下磁性,分析了Al、Co共同掺杂对ZnO纳米线磁学性质的调控机制并深入了解了载流子浓度与磁性的关系;通过光刻微加工技术,研制了单纳米线器件,提供了将n型ZnO纳米线由半导体性转变为金属性的新思路,探讨了ZnO纳米线铁电存储器的存储机制及提高器件对H2S气体灵敏度的方法;研究分析了单根过渡族金属氧化物纳米线的输运性质,介绍了其对不同气体的探测选择能力;合成了BCN/C纳米管异质结阵列,研究了其电输运性质,证实了该BCN/C纳米管异质结具有整流效应,同时给出了高比表面积介孔碳纳米管纤维对NO2的气敏响应关系。
本书所介绍的金属氧化物纳米线的制备方法及器件物性研究方法可为从事材料物理的研究人员、教师提供参考,也可作为研究生学习薄膜生长、性能测试的参考资料。

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内容简介

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本书讲述了较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现, 过渡族金属氧化物一维纳米结构具有丰富的物性。采用合适的工艺技术, 可以研制出性能优良的单根纳米线器件。本书发展了一条设计和研制高灵敏性、具有良好选择性气敏纳米传感器的途径, 并为新型纳米器件的设计奠定了基础。

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目录

1绪论 1.1研究背景 1.2一维纳米材料 1.3碳纳米管 1.4一维金属氧化物纳米材料 1.5本书研究工作的侧重点 1.6本章小结 2一维氧化锌纳米结构的制备及其场发射性能的研究 2.1一维氧化锌纳米结构的研究意义 2.2ZnO纳米线的基本物性 2.3一维ZnO纳米材料的制备方法及生长机制 2.4一维ZnO纳米材料的性能及其应用前景 2.5一维ZnO纳米结构的热蒸发方法制备及结果表征 2.6一维ZnO纳米结构电子场发射行为 2.7本章小结 3一维氧化锌纳米结构稀磁半导体的制备与物性研究 3.1稀磁半导体的简介及研究 3.2自旋极化载流子源 3.3稀磁半导体的磁性机制 3.4ZnO基稀磁半导体研究的历史与现状 3.5一维ZnO纳米结构稀磁半导体的制备与磁性研究 3.6本章小结 4一维氧化锌纳米结构场效应晶体管制备与气敏特性研究 4.1纳米线场效应晶体管进展 4.2纳米线器件制备的主要工艺 4.3ZnO纳米线FET的研究和n型导电的调控 4.4ZnO纳米线铁电场效应晶体管及其存储效应研究 4.5三种不同类型ZnO纳米线气敏传感器的研究 4.6本章小结 5其他几种一维金属氧化物纳米线 的物性研究和器件设计 5.1一维α�睩e2O3纳米结构研制及相应的场效应管、 气敏传感器 的研究 5.2一维CuO纳米结构p型场效应管的制备及其 气敏传感器特性 的研究 5.3制备一维Cu2O纳米线及相关的物性和器件研究 5.4单根担载铂纳米晶的CeO2纳米线气敏传感 器:气敏能力、表面 价态和化学机制研究 5.5本章小结 6一维碳纳米材料的合成、物性 测量和器件制备 6.1关于碳材料的概述 6.2多壁BCN/Carbon异质结阵列和相应的整流行为 6.3p型介孔碳纳米纤维的物性研究 6.4本章小结 参考文献

封面

金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制

书名:金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制

作者:廖蕾著

页数:162页

定价:¥50.0

出版社:武汉理工大学出版社

出版日期:2017-09-01

ISBN:9787562954538

PDF电子书大小:120MB 高清扫描完整版

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