模拟电子系统设计指南(基础篇)-从半导体.分立元件到ADI集成电路的分析与实现_PDF下载[159MB-百度云]何宾

本书特色

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本书从*基本的半导体PN 结开始, 以二极管、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应管,以及美国ADI公司的集成运算放大器、集成功率放大器、集成线性低压降电源芯片、集成开关电源芯片为主线, 系统介绍了半导体和PN结特性、半导体二极管的特性和分析、二极管电路的设计和分析、双极结型晶体管的特性和分析、双极结型晶体管放大电路应用、双极结型晶体管电路反馈原理及稳定分析、金属氧化物半导体场效应管特性和电路分析、金属氧化物半导体场效应管放大电路应用、运算放大器电路的设计和分析、集成差动放大器的原理和分析、运算放大器的性能指标、运算放大器电路稳定性分析、高速运算放大器的原理和分析、有源滤波器的原理和设计、功率放大器的分析和设计、振荡器的特性和分析、电源管理器的原理和应用、模拟/数字转换器的原理及应用、数字/模拟转换器的原理及应用等内容。

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作者简介

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何宾，著名的嵌入式技术和EDA技术专家，长期从事电子设计自动化方面的教学和科研工作，与全球多家知名的半导体厂商和EDA工具厂商大学计划保持紧密合作。目前已经出版嵌入式和EDA方面的著作近30部，内容涵盖电路仿真、电路设计、可编程逻辑器件、数字信号处理、单片机、嵌入式系统、片上可编程系统等。典型的代表作有《Xilinx FPGA设计权威指南》、《Altium Designer13.0电路设计、仿真与验证权威指南》、《Xilinx FPGA数字设计-从门级到行为级的双重描述》、《Xilinx FPGA数字信号处理权威指南-从HDL、模型到C的描述》、《模拟与数字系统协同设计权威指南-Cypress集成开发环境》、《STC单片机原理及应用》、《Altium Designer15.0电路仿真、设计、验证与工艺实现权威指南》、《STC单片机C语言程序设计》。

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目录第1章模拟电子技术绪论1.1电子技术的发展历史1.2模拟电子技术的目标1.2.1模拟电子技术的基础地位1.2.2模拟电子技术的知识点结构1.2.3模拟电子技术的研究角度1.3模拟电子系统的评价和分析方法1.3.1理论分析方法类型1.3.2理论分析方法的实质1.3.3实际测试第2章半导体和PN结特性2.1半导体材料2.1.1N型杂质2.1.2P型杂质2.1.3多子和少子2.1.4费米函数2.1.5载流子浓度2.2零偏置PN结2.2.1内建结电势2.2.2电场分布2.2.3结电势分布2.2.4空间耗尽区宽度2.3正偏PN结2.3.1耗尽区宽度2.3.2少子电荷分布2.4反偏PN 结2.4.1耗尽区宽度2.4.2结电容2.5结电流密度2.6温度依赖性2.7高频交流模型2.7.1耗尽电容2.7.2扩散电容2.7.3正偏模型2.7.4反偏模型第3章半导体二极管的特性和分析3.1二极管的符号和分类3.1.1二极管的符号3.1.2二极管的分类3.2二极管电压和电流特性3.2.1测试电路构建和分析3.2.2查看和分析SPICE网表3.2.3二极管SPICE模型描述3.2.4二极管正偏电压-电流特性分析3.2.5二极管反偏电压-电流特性分析3.2.6二极管电压-电流线性化模型3.3二极管温度特性3.3.1执行二极管温度扫描分析3.3.2绘制和分析二极管温度特性图3.4二极管频率特性3.4.1波特图工具的原理3.4.2波特图使用说明3.4.3二极管频率特性分析3.5二极管额定功率特性3.6发光二极管及特性3.7齐纳二极管及特性3.7.1电压电流特性3.7.2电源管理器的设计第4章二极管电路的设计和分析4.1二极管整流器4.1.1半波整流4.1.2全波整流4.1.3平滑整流器输出4.2二极管峰值检测器4.2.1二极管峰值检测器原理4.2.2包络检波器实现4.3二极管钳位电路4.4二极管斩波器4.4.1二极管斩波器原理4.4.2二极管斩波器应用4.5二极管倍压整流器4.6压控衰减器第5章双极结型晶体管的特性和分析5.1晶体管基本概念5.2双极结型晶体管符号5.3双极结型晶体管SPICE模型参数5.4双极结型晶体管工作原理5.4.1双极结型晶体管结构5.4.2电压、电流和电荷控制5.4.3晶体管的α和β5.4.4BJT工作区域5.5双极结型晶体管输入和输出特性5.5.1输入特性5.5.2输出特性5.6双极结型晶体管电路模型及分析方法5.6.1直流模型5.6.2大信号模型5.6.3厄尔利效应5.6.4小信号模型5.7密勒定理及其分析方法5.7.1密勒定理及其推导5.7.2密勒定理的应用5.7.3密勒效应5.8双极结型晶体管的直流偏置5.8.1有源电流源偏置5.8.2单基极电阻偏置5.8.3发射极电阻反馈偏置5.8.4射极跟随器偏置5.8.5双基极电阻偏置5.8.6偏置电路设计5.9共发射极放大器5.9.1有源偏置共射极放大器5.9.2电阻偏置共射极放大器5.10共集电极放大器5.10.1有源偏置射极跟随器5.10.2电阻偏置射极跟随器5.11共基极放大器5.11.1输入电阻Ri5.11.2无负载电压增益Avo5.11.3输出电阻Ro5.12达灵顿对晶体管5.13直流电平移位和放大器5.13.1电平移动方法5.13.2电平移位的直流放大器5.14双极结型晶体管电路的频率响应5.14.1高频模型5.14.2BJT频率响应5.15BJT放大器的频率响应5.15.1共发射极BJT放大器5.15.2共集电极BJT放大器5.15.3共基极BJT放大器5.16匹配晶体管第6章双极结型晶体管放大电路应用6.1BJT多级放大器及频率响应6.1.1电容耦合6.1.2直接耦合6.1.3级联晶体管6.1.4频率响应6.2BJT电流源原理6.2.1基本电流源6.2.2改进型基本电流源6.2.3Widlar电流源6.2.4共射-共基电流源6.2.5威尔逊电流源6.2.6多重电流源6.2.7零增益放大器6.2.8稳定电流源6.3BJT差分放大器原理6.3.1采用阻性负载的BJT差分对6.3.2采用基本电流镜有源负载的BJT差分放大器6.3.3采用改进电流镜的差分放大器6.3.4共射极-共基极差分放大器6.3.5差分放大器频率响应第7章双极结型晶体管电路反馈原理及稳定分析7.1放大器反馈机制类型7.2放大器反馈特性7.2.1闭环增益系数7.2.2频率响应7.2.3失真7.3放大器反馈结构7.3.1串联-并联反馈结构7.3.2串联-串联反馈结构7.3.3并联-并联反馈结构7.3.4并联-串联反馈结构7.4放大器反馈分析7.4.1串联-并联反馈结构7.4.2串联-串联反馈结构7.4.3并联-并联反馈结构7.4.4并联-串联反馈结构7.5放大器稳定性分析7.5.1闭环频率和稳定性7.5.2瞬态响应和稳定性7.5.3闭环极点和稳定性7.5.4奈奎斯特稳定准则7.5.5相对稳定性判定7.5.6相位裕度的影响7.5.7波特图分析稳定性方法第8章金属氧化物半导体场效应管特性和电路分析8.1金属氧化物半导体场效应管基础8.1.1金属氧化物半导体场效应管概述8.1.2金属氧化物场效应晶体管符号8.1.3金属氧化物场效应管的基本概念8.1.4MOSFET的SPICE模型参数8.2增强型MOSFET8.2.1内部结构8.2.2工作模式8.2.3工作特性8.3耗尽型MOSFET8.3.1内部结构8.3.2工作模式8.3.3工作特性8.4MOSFET低频模型8.4.1直流模型8.4.2小信号模型8.4.3小信号分析8.5MOSFET直流偏置8.5.1MOSFET偏置电路原理8.5.2MOSFET偏置电路设计8.6共源极放大器8.6.1采用电流源负载的共源极放大器8.6.2采用增强型MOSFET负载的共源极放大器8.6.3采用耗尽型MOSFET负载的共源极放大器8.6.4采用电阻负载的共源极放大器8.7共漏极放大器 8.7.1有源偏置的源极跟随器8.7.2电阻偏置的源极跟随器8.8共栅极放大器8.9直流电平移位和放大器8.9.1电平移动方法8.9.2电平移位的MOSFET放大器8.10MOSFET放大器频率响应8.10.1MOSFET高频模型8.10.2共源级放大器频率响应8.10.3共漏极放大器频率响应8.10.4共栅极放大器频率响应第9章金属氧化物半导体场效应管放大电路应用9.1MOSFET多级放大器及频率响应9.1.1电容耦合级联放大器9.1.2直接耦合放大器 9.1.3共源-共栅放大器9.2MOSFET电流源原理9.2.1基本电流源9.2.2改进型基本电流源9.2.3多重电流源9.2.4共源-共栅电流源9.2.5威尔逊电流源9.2.6零增益放大器9.2.7稳定电流源9.3MOSFET差分放大器原理9.3.1NMOSFET差分对9.3.2采用有源负载的MOSFET差分对9.3.3共源-共栅MOSFET差分放大器9.4耗尽型MOSFET差分放大器原理9.4.1采用阻性负载的耗尽型MOSFET差分对9.4.2采用有源负载的耗尽型MOSFET差分对第10章运算放大器电路的设计和分析10.1集成运算放大器的原理10.1.1集成运放的内部结构10.1.2集成运放的通用符号10.1.3集成运放的简化原理10.2理想运算放大器模型10.2.1理想运算放大器的特点10.2.2放大器“虚短”和“虚断”10.2.3叠加定理10.3理想运算放大器的分析10.3.1同相放大器10.3.2反相放大器10.4运算放大器的应用10.4.1电压跟随器10.4.2加法器10.4.3积分器10.4.4微分器10.4.5半波整流器10.4.6全波整流器10.5单电源供电运放电路10.5.1单电源运放10.5.2运算放大电路的基本偏置方法10.5.3其他一些基本的单电源供电电路第11章集成差动放大器的原理和分析11.1差分放大器的基本概念11.2差分放大器11.3仪表放大器11.3.1双运算放大器（双运放）配置11.3.2三运算放大器配置11.4电流检测放大器11.4.1低侧电流测量方法11.4.2高侧电流测量方法11.5全差分放大器11.5.1全差分放大器的原理11.5.2差分信号源匹配11.5.3单端信号源匹配11.5.4输入共模电压第12章运算放大器的性能指标12.1开环增益、闭环增益和环路增益12.2放大器直流精度12.2.1放大器输入端直流参数指标12.2.2放大器输出端直流参数指标12.3放大器交流精度12.3.1增益带宽积12.3.2压摆率12.3.3建立时间12.3.4总谐波失真加噪声12.4放大器的其他指标12.4.1共模抑制比12.4.2电源噪声抑制比12.4.3电源电流12.4.4噪声指标12.5零漂移放大器12.5.1自稳零型放大器原理12.5.2斩波放大器的工作原理12.5.3两种技术的混合工作原理第13章运算放大器电路稳定性分析13.1运放电路稳定性分析方法13.2Aol和1/β的计算方法13.3外部寄生电容对稳定性的影响13.3.1负载电阻影响的瞬态分析13.3.2负载电阻影响的交流小信号分析13.4修改Aol的补偿方法13.4.1电路的瞬态分析13.4.2电路的交流小信号分析13.5修改1/β的补偿方法13.5.1电路的瞬态分析13.5.2电路的交流小信号分析第14章高速运算放大器的原理和分析14.1ADI高速运算放大器概述14.2电压反馈运算放大器14.2.1电压反馈放大器原理14.2.2电压反馈放大器结构和工艺14.3电流反馈运算放大器的原理、结构和工艺14.3.1电流反馈放大器的原理14.3.2电流反馈放大器的结构和工艺14.4反馈电阻对放大器电路的影响14.5反馈电容对放大器电路的影响14.6补偿输入电容对放大器电路的影响14.7电压反馈放大器和电流反馈放大器的选择14.7.1直流及运行因素14.7