纳米CMOS电路和物理设计

内容简介

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　　本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。重要的主题包括纳米cmos工艺缩小问题及其对设计的影响；亚波长光刻；运行问题的物理与理论以及解决方案；可制造性设计和波动性。

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目录

译者的话
原书序
原书前言
第1章 纳米cmos?缩小问题及内涵
　1.1　纳米cmos时代的设计方法
　1.2使得性能改善得到延续所必需的创新
　1.3　sub.100nm缩小的挑战和亚波长光刻综述
　　1.3.1后道工艺的挑战(金属化)　
　　1.3.2前道工艺的挑战(晶体管)
　1.4工艺控制和可靠性
　1.5　光刻问题和掩膜数据爆炸
　1.6　新型的电路和物理设计工程师
　1.7建模的挑战
　1.8　变革设计方法的需要
　1.9　总结

封面

书名:纳米CMOS电路和物理设计

作者:（美）王班　等著，幸维平　等译

页数:345

定价:¥98.0

出版社:机械工业出版社

出版日期:2011-04-01

ISBN:9787111330837

PDF电子书大小:128MB 高清扫描完整版