二维化合物的吸附特性

本书特色

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本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的，系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章，前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第3章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构、电子性质的影响，第4章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响，第5章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响，第6章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响，第7章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。本书可供相关低维材料领域的科技工作者参考，也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。

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内容简介

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本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响, 第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响, 第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响, 第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响, 第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。

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目录

第1章绪论/ 0011.1单层二硫化钼(MoS2) 研究进展/ 0011.1.1石墨烯/ 0011.1.2二硫化钼(MoS2)/ 0021.1.3单层MoS2缺陷吸附掺杂研究/ 0051.2单层硒化铟(InSe) 研究进展/ 0071.2.1InSe简介/ 0071.2.2InSe电子结构及性质/ 008参考文献/ 009第2章理论方法/ 0152.1能带理论的三大近似/ 0152.1.1绝热近似/ 0162.1.2单电子近似(密度泛函理论)/ 0172.1.3周期性势场近似(布洛赫定理)/ 0202.2势与波函数的处理/ 0212.2.1平面波方法/ 0222.2.2原子轨道线性组合法/ 0232.2.3赝势方法/ 0242.2.4投影缀加波法/ 0252.3Kohn-Sham方程的自洽求解/ 026参考文献/ 027第3章Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响/ 0293.1概述/ 0303.2计算模型和方法/ 0313.3结构及电子性质/ 0333.3.1Aun团簇吸附于非缺陷单层MoS2/ 0333.3.2Au团簇在单S空位MoS2上的吸附/ 0383.3.3Au团簇在反位缺陷MoS2上的吸附/ 043参考文献/ 047第4章反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响/ 0514.1概述/ 0514.2计算方法和模型/ 0524.3电子及磁学性质/ 0544.3.1反位缺陷MoS2的电子性质/ 0544.3.23d过渡金属原子吸附对反位缺陷MoS2的电子及磁学性质的影响/ 056参考文献/ 060第5章非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响/ 0635.1概述/ 0635.2计算模型和方法/ 0645.3吸附位置及磁学性质/ 0655.3.1非金属原子的吸附位置/ 0655.3.2非金属原子吸附对MoS2磁学及电子性质的影响/ 066参考文献/ 071第6章3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响/ 0746.1概述/ 0746.2计算模型和方法/ 0766.3稳定性、电学及磁学性质/ 0776.3.1几何结构和稳定性/ 0776.3.2电子结构/ 0796.3.3磁性/ 0796.3.4能带结构/ 084参考文献/ 087第7章小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响/ 0917.1概述/ 0917.2计算模型和方法/ 0937.3吸附对电学及磁学性质的影响/ 0947.3.1CO吸附/ 0947.3.2H2O吸附/ 0967.3.3NH3吸附/ 0977.3.4N2吸附/ 0987.3.5NO2吸附/ 0997.3.6NO吸附/ 1017.3.7O2吸附/ 102参考文献/ 103

封面

书名:二维化合物的吸附特性

作者:琚伟伟著

页数:106页

定价:¥48.0

出版社:化学工业出版社

出版日期:2020-01-01

ISBN:9787122352729

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