硅中部分位错演化的分子模拟

内容简介

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本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景, 采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其它缺陷的相互作用。全书共分为七章, 主要内容包括: 绪论、分子模拟原理及方法简介、30度部分位错的运动特性等。

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目录

第1章  绪论1.1  硅中位错的研究背景、目的和意义1.2  硅锗异质结构简介1.3  失配部分位错的微观结构1.4  本书的主要内容第2章  分子模拟原理及方法简介2.1  引言2.2  **性原理的基本理论2.3  紧束缚理论（TB）2.4  分子动力学方法2.5  *低能量路径寻找方法2.6  周期性边界条件2.7  本章小结第3章  30度部分位错的运动特性3.1  引言3.2  分子动力学参数设定3.3  30度部分位错的弯结模型3.4  弯结的运动过程3.5  弯结的迁移势垒3.6  结果讨论3.7  本章小结第4章  90度部分位错的运动特性4.1  引言4.2  DP结构的运动特性4.3  SP结构的运动特性4.4  本章小结第5章  90度部分位错重构缺陷的运动特性5.1  引言5.2  模型建立及计算过程5.3  单周期结构中重构缺陷的运动特性5.4  双周期结构中重构缺陷的运动特性5.5  重构缺陷与弯结的相互作用5.6  本章小结第6章  空位的**性原理及经验势函数的对比研究6.1  引言6.2  计算方法及参数设定6.3  单空位的结构特性及形成能6.4  双空位的结构特性及形成能6.5  六边形空位环的结构特性及形成能6.6  计算结果分析6.7  本章小结第7章  30度部分位错与空位的相互作用7.1  引言7.2  计算方法及参数设置7.3  分子动力学模型7.4  30度部分位错与单空位的相互作用7.5  30度部分位错与双空位的相互作用7.6  30度部分位错与空位环的相互作用7.7  30度部分位错与空位相互作用的对比研究7.8  本章小结参考文献

封面

书名:硅中部分位错演化的分子模拟

作者:王超营[等]著

页数:89

定价:¥17.0

出版社:哈尔滨工程大学出版社

出版日期:2014-11-01

ISBN:9787566109392

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