基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征
本书特色
[
本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料-氧化镓的基本性质；全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手，详细论述了氧化镓生长质量的影响因素；论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制；论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。
]
内容简介
[
本书主要研究了新一带超宽带半导体材料-氧化镓的基本性质；全书从氧化镓的基本性质与靠前外研究现状入手，详细论述了氧化镓生长质量的影响因素；论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制；论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其带宽度的方法与机制。
]
作者简介
[
张法碧，男，教授，硕士生导师。广西高校引进海外高层次人才“百人计划”，“广西高校千名骨干教师培训计划”人选，广西“创新创业青年人才培养示范”，“广西E层次人才”；研究领域：微电子与固体电子学。研究方向：紫外探测材料器件、宽禁带半导体材料与器件、二维材料与器件、透明氧化物薄膜与器件、功率器件。主持国家级项目一项，其他项目十余项。在Applied physics letters, Thin solid film, Journal of alloy and compounds等国际著名期刊已发表论文50余篇。成果获得了美国空军研究实验室、美国华盛顿大学、意大利卡利亚里大学等机构的一致好评与引用。曾经获得过国家多媒体课件大赛理工组二等奖，广西教育技术应用大赛特等奖，广西教学成果二等奖。
]
目录
1 Introduction1.1 Background1.2 Review of studies on Ga2O3, (Ga1-xInx)2O3 and (AlxGa1-x)2O3 films1.2.1 Ga2O31.2.2 Si doped Ga2O31.2.3 (Ga1-xInx)2O31.2.4 (AlxGa1-x)2O31.3 Purpose and Outline2 Film growth and characterization methods2.1 Film deposition techniques2.2 Pulsed laser deposition2.2.1 Basic of pulsed laser deposition2.2.2 The deposition process2.2.3 The pulsed laser deposition equipment used in this research2.2.4 The film growth procedures2.3 Characterization methods3 Growth and characterization of Ga2O3 films3.1 Introduction3.2 Oxygen pressure influence3.2.1 Growth rate3.2.2 Crystal structure3.2.3 Transmittance and surface morphology3.2.4 Discussions3.3 Substrate temperature influence3.3.1 Crystal structure3.3.2 Optical properties3.3.3 Surface morphology3.3.4 Valence band structure3.4 Growth time influence3.5 Annealing effects3.5.1 Annealing effect on films deposited at RT3.5.2 Annealing effect on films deposited at 500 oC3.5.3 Annealing effect on CL spectra3.6 Conclusions4 Effect of Si doping on properties of Ga2O3 films4.1 Introductions4.2 Si content influence4.3 Substrate temperature influence4.4 Oxygen pressure influence4.5 Conclusions5 Growth and characterization of (Ga1-xInx)2O3 films5.1 Introduction5.2 Bandgap engineering of (Ga1-xInx)2O3 films5.2.1 Growth parameters5.2.2 Optical properties5.2.3 Structure and surface morphologies5.3 Thermal annealing impact on crystal quality of (GaIn)2O3 alloys5.4 Toward the understanding of annealing effects on (GaIn)2O3 films5.4.1 Influence of annealing gas ambient5.4.2 Influence of annealing temperature5.5 Annealing effect on films with different indium content5.6 Conclusions6 Growth and characterization of (AlGa)2O3 films6.1 Introduction6.2 The Al content in the film6.3 Structure of the (AlGa)2O3 films6.4 Transmittance and bandgap of the (AlGa)2O3 films6.5 Conclusions
封面
书名:基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征
作者:张法碧
页数:176
定价:¥48.0
出版社:华中科技大学出版社
出版日期:2020-05-01
ISBN:9787568059039
PDF电子书大小:84MB 高清扫描完整版