半导体制造技术_PDF下载[90MB-百度云]夸克

本书特色

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　　本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

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第1章半导体产业介绍目标1.1 引言1.2 产业的发展1.3 电路集成1.4 集成电路制造1.5 半导体趋势1.6 电子时代1.7 在半导体制造业中的职业1.8 小结第2章半导体材料特性目标2.1 引言2.2 原子结构2.3 周期表2.4 材料分类2.5 硅2.6 可选择的半导体材料2.7 小结第3章器件技术目标3.1 引言3.2 电路类型3.3 无源元件结构3.4 有源元件结构3.5 cmos器件的闩锁效应3.6 集成电路产品3.7 小结第4章硅和硅片制备目标4.1 引言4.2 半导体级硅4.3 晶体结构4.4 晶向4.5 单晶硅生长4.6 硅中的晶体缺陷4.7 硅片制备4.8 质量测量4.9 外延层4.10 小结第5章半导体制造中的化学品目标5.1 引言5.2 物质形态5.3 材料的属性5.4 工艺用化学品5.5 小结第6章硅片制造中的沾污控制目标6.1 引言6.2 沾污的类型6.3 沾污的源与控制6.4 硅片湿法清洗6.5 小结第7章测量学和缺陷检查目标7.1 引言7.2 集成电路测量学7.3 质量测量7.4 分析设备7.5 小结第8章工艺腔内的气体控制目标8.1 引言8.2 真空8.3 真空泵8.4 工艺腔内的气流8.5 残气分析器8.6 等离子体8.7 工艺腔的沾污8.8 小结第9章集成电路制造工艺概况目标9.1 引言9.2 cmos工艺流程9.3 cmos制作步骤9.4 小结第10章氧化目标10.1 引言10.2 氧化膜10.3 热氧化生长10.4 高温炉设备10.5 卧式与立式炉10.6 氧化工艺10.7 质量测量10.8 氧化检查及故障排除10.9 小结第11章淀积目标11.1 引言11.2 膜淀积11.3 化学气相淀积11.4 cvd淀积系统11.5 介质及其性能11.6 旋涂绝缘介质11.7 外延11.8 cvd质量测量11.9 cvd检查及故障排除11.10 小结第12章金属化目标12.1 引言12.2 金属类型12.3 金属淀积系统12.4 金属化方案12.5 金属化质量测量12.6 金属化检查及故障排除12.7 小结第13章光刻：气相成底膜到软烘目标13.1 引言13.2 光刻工艺13.3 光刻工艺的8个基本步骤13.4 气相成底膜处理13.5 旋转涂胶13.6 软烘13.7 光刻胶质量测量13.8 光刻胶检查及故障排除13.9 小结第14章光刻：对准和曝光目标14.1 引言14.2 光学光刻14.3 光刻设备14.4 混合和匹配14.5 对准和曝光质量测量14.6 对准和曝光检查及故障排除14.7 小结第15章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术目标15.1 引言15.2 曝光后烘焙15.3 显影15.4 坚膜15.5 显影检查15.6 先进的光刻技术15.7 显影质量测量15.8 显影检查及故障排除15.9 小结第16章刻蚀目标16.1 引言16.2 刻蚀参数16.3 干法刻蚀16.4 等离子体刻蚀反应器16.5 干法刻蚀的应用16.6 湿法腐蚀16.7 刻蚀技术的发展历程16.8 去除光刻胶16.9 刻蚀检查16.10 刻蚀质量测量16.11 干法刻蚀检查及故障排除16.12 小结第17章离子注入目标17.1 引言17.2 扩散17.3 离子注入17.4 离子注入机17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势17.6 离子注入质量测量17.7 离子注入检查及故障排除17.8 小结第18章化学机械平坦化目标18.1 引言18.2 传统的平坦化技术18.3 化学机械平坦化18.4 cmp应用18.5 cmp质量测量18.6 cmp检查及故障排除18.7 小结第19章硅片测试目标19.1 引言19.2 硅片测试19.3 测试质量测量19.4 测试检查及故障排除19.5 小结第20章装配与封装目标20.1 引言20.2 传统装配20.3 传统封装20.4 先进的装配与封装20.5 封装与装配质量测量20.6 集成电路封装检查及故障排除20.7 小结附录a 化学品及安全性附录b 净化间的沾污控制附录c 单位附录d 作为氧化层厚度函数的颜色附录e 光刻胶化学的概要附录f 刻蚀化学